意法半导体提升车用40V MOSFET的杂讯表现和效能

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics；简称ST；纽约证券交易所代码：STM)发布两款40V车用等级MOSFET。

新产品采用意法半导体最新的STripFET F7制造技术，开关性能优异且效能出色、杂讯辐射极低，且抗干扰能力强。新产品最大输出电流达120A，主要应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和安全系统，同时优异的开关特性使其适用于马达驱动装置，例如，电动助力转向系统(Electric Power Steering；EPS)。

意法半导体的STripFET系列采用DeepGATE技术，达到降低单位面积导通电阻和RDS(on)x栅电荷(Qg)值，在采用相同的功率元件封装条件提供更高的效能。高雪崩耐受度特点是此新产品另一大亮点。

透过降低体效应二极体的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)，STripFET F7增强切换性能和大幅提升产品效能，另外软性反向恢复可大幅降低静电干扰(electromagnetic interference；EMI)，从而放宽对滤波元件的要求。

此外，优化此装置的容值，使元件抗干扰性获得改善，缓解对缓冲电路的需求，栅极磁滞电压校调使元件具有良好的抗干扰功能，而无需专用栅极驱动器。在马达驱动等电桥拓朴中，二极体软性恢复特性有助于防止直通电流现象发生，从而提升驱动电路的可靠性。

40V STL140N4F7AG和STL190N4F7AG通过AEC-Q101标准认证，采用侧面可沾锡焊接的PowerFLAT 5x6封装。小巧的封装面积和0.8mm的厚度支援高系统功率密度，此外侧面镀锡设计有助于提升焊接可靠性和寿命，以及100%支援自动光学检验程序。40V车用STripFET F7 MOSFET即日起量产。